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J-GLOBAL ID：200902147562766408   整理番号：96A0436438

(775)B GaAs基板上にMBE成長したGaAs/(GaAs)₂(AlAs)₂高密度量子細線のフォトルミネッセンス特性

Photoluminescence from high density GaAs/(GaAs)2(AlAs)2 QWRs on (775)B GaAs substrate grown by MBE.

著者 (5件)： 東脇正高 (大阪大 基礎工) ,  山本昌則 (大阪大 基礎工) ,  下村哲 (大阪大 基礎工) ,  安立明 (日新電機) ,  冷水佐寿 (大阪大 基礎工)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 43rd  号： 3  ページ： 1233  発行年： 1996年03月 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (7件)： GaAs基板 ,  MBE成長 ,  GaAs ,  AlAs ,  高密度 ,  量子細線 ,  フォトルミネッセンス