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J-GLOBAL ID：200902147717991144   整理番号：93A0649278

2段階成長法による均一μc-Siエミッタの形成とHBT素子特性

Formation of Uniform μc-Si Emitter by 2 Step Growth Method and HBT Device Characteristics.

著者 (4件)： 佐々木公洋 (東京工大 大学院 総合理工学研究科) ,  引地徹 (東京工大 大学院 総合理工学研究科) ,  中沢享 (東京工大 大学院 総合理工学研究科) ,  古川静二郎 (東京工大 大学院 総合理工学研究科)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 40th  号： Pt 2  ページ： 745  発行年： 1993年03月 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (6件)： 段階 ,  成長 ,  Si ,  エミッタ ,  HBT ,  素子特性