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J-GLOBAL ID：200902147996397788   整理番号：97A0806619

金属/SiC接触のSchottky障壁高さの分析と,その高電圧整流素子への応用可能性

Analysis of Schottky Barrier Heights of Metal/SiC Contacts and Its Possible Application to High-Voltage Rectifying Devices.
著者 (2件)：
ITOH A

ITOH A について

(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)

Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN について

, 
MATSUNAMI H

MATSUNAMI H について

(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)

Kyoto Univ., Kyoto, JPN について


資料名：
Physica Status Solidi. A. Applied Research  (Physica Status Solidi. A. Applied Research)

Physica Status Solidi. A. Applied Research について


巻： 162  号： 1  ページ： 389-408  発行年： 1997年07月16日 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 0031-8965  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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金属/3C-,6H-及び4H-SiC系のSchottky障壁...
シソーラス用語：
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炭化ケイ素

炭化ケイ素 について

,...
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分類 (2件)：
分類
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半導体-金属接触 
(BM03084G)

半導体-金属接触 について

,  ダイオード 
(NC03050R)

ダイオード について

タイトルに関連する用語 (7件)：
タイトルに関連する用語
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SiC

SiC について

, 
Schottky障壁高さ

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, 
分析

分析 について

, 
高電圧

高電圧 について

, 
整流素子

整流素子 について

, 
応用

応用 について

, 
可能性

可能性 について


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