選択領域有機金属気相エピタクシーにより作製したGaAs単一電子トランジスタとその単一電子論理回路への応用

NAKAJIMA F; KUMAKURA K; MOTOHISA J; FUKUI T

文献

J-GLOBAL ID：200902149449562424 整理番号：99A0326729

選択領域有機金属気相エピタクシーにより作製したGaAs単一電子トランジスタとその単一電子論理回路への応用

GaAs Single Electron Transistors Fabricated by Selective Area Metalorganic Vapor Phase Epitaxy and Their Application to Single Electron Logic Circuits.

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巻： 38 号： 1B ページ： 415-417 発行年： 1999年01月30日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

GaAs単一電子トランジスタ(SET)を,選択成長GaAs...

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13-15族化合物を含む半導体-半導体接合 , トランジスタ

引用文献 (11件)：

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