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J-GLOBAL ID:200902149499861430   整理番号:96A0983153

薄膜トランジスタ配線用の高い熱安定性をもつ低抵抗Al-RE(RE=La,Pr,Nd)合金薄膜

Low resistivity Al-RE (RE=La,Pr, and Nd) alloy thin films with high thermal stability for thin-film-transistor interconnects.
著者 (2件):
資料名:
巻: 14  号:ページ: 3257-3262  発行年: 1996年09月 
JST資料番号: E0974A  ISSN: 1071-1023  CODEN: JVTBD9  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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Al薄膜に約2~7at%の標記RE金属を添加するとAlマトリ...
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分類 (2件):
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固体デバイス材料  ,  金属薄膜 

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