Characterization of metastable hydrogen-related defects in n-GaAs by isothermal constant-capacitance-voltage transient spectroscopy.

文献

J-GLOBAL ID：200902149670454393 整理番号：00A0437436

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巻： 210 号： 1/3 ページ： 260-263 発行年： 2000年03月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別：逐次刊行物 (A)
発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

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