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J-GLOBAL ID：200902150594055881   整理番号：95A0382775

シリコンの酸化 VLSIゲート誘電体

Oxidation of silicon: the VLSI gate dielectric?

著者 (2件)： SOFIELD C J (AEA Technology, Oxon, GBR) ,  STONEHAM A M (AEA Technology, Oxon, GBR)
資料名： Semiconductor Science and Technology  (Semiconductor Science and Technology)
巻： 10  号： 3  ページ： 215-244  発行年： 1995年03月 
JST資料番号： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最近の同位体実験で明らかにされたシリコン酸化の問題に注目し,...

シソーラス用語： ケイ素 ,...

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分類 (4件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (4件)： シリコン ,  酸化 ,  VLSI ,  ゲート誘電体