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J-GLOBAL ID：200902150753597178   整理番号：01A0767574

ステップ傾斜短周期(Si_mGe_n)_N超格子を使ってSi(001)基板上に成長させたSi_0.75Ge_0.25合金層の成長

Growth of Si_0.75Ge_0.25 alloy layers grown on Si(001) substrates using step-graded short-period(Si_m/Ge_n)_N superlattices.

著者 (4件)： RAHMAN M M (Toyama Univ., Toyama, JPN) ,  MATADA H (Toyama Univ., Toyama, JPN) ,  TAMBO T (Toyama Univ., Toyama, JPN) ,  TATSUYAMA C (Toyama Univ., Toyama, JPN)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 90  号： 1  ページ： 202-208  発行年： 2001年07月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ステップ状組成勾配を持ったバッファ層の上に厚み2000Åの標...

シソーラス用語： *MBE成長 ,...
準シソーラス用語： 歪緩和

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 短周期 ,  超格子 ,  Si ,  成長 ,  合金層