ワイドバンドギャップ半導体の衝突イオン化計算における現実的バンド構造の使用 GaAsとAlGaAsにおけるしきい値と反しきい値及びイオン化率

WILSON S P; BRAND S; BEATTIE A R; ABRAM R A

文献

J-GLOBAL ID：200902151100879166 整理番号：94A0032957

ワイドバンドギャップ半導体の衝突イオン化計算における現実的バンド構造の使用 GaAsとAlGaAsにおけるしきい値と反しきい値及びイオン化率

The use of realistic band structure in impact ionization calculations for wide bandgap semiconductors: thresholds, anti-thresholds and rates in GaAs and AlGaAs.

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巻： 8 号： 11 ページ： 1944-1956 発行年： 1993年11月
JST資料番号： E0503B ISSN： 0268-1242 CODEN： SSTEET 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

GaAsとAl<sub>0.3</sub>Ga<sub>0...

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半導体結晶の電気伝導

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