歪んだSi-nチャネル金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタにおける移動度増大に対するSi<sub>1-x</sub>Ge<sub>x</sub>バッファ層の役割

SUGII N; NAKAGAWA K; YAMAGUCHI S; MIYAO M

文献

J-GLOBAL ID：200902151463528900 整理番号：00A0001755

歪んだSi-nチャネル金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタにおける移動度増大に対するSi_1-xGe_xバッファ層の役割

Role of Si_1-xGe_x buffer layer on mobility enhancement in a strained-Si n-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistor.

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巻： 75 号： 19 ページ： 2948-2950 発行年： 1999年11月08日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

Si_1-xGe_x...

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金属-絶縁体-半導体構造 , トランジスタ

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歪んだSi-nチャネル金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタにおける移動度増大に対するSi1-xGexバッファ層の役割

歪んだSi-nチャネル金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタにおける移動度増大に対するSi_1-xGe_xバッファ層の役割