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J-GLOBAL ID：200902152256631055   整理番号：96A0857725

SIMOX基板上のSi単一電子トランジスタ特性のサイズ依存性

Size Dependence of the Characteristics of Si Single-Electron Transistors on SIMOX Substrates.

著者 (6件)： TAKAHASHI Y (NTT LSI Lab., Kanagawa, JPN) ,  NAMATSU H (NTT LSI Lab., Kanagawa, JPN) ,  KURIHARA K (NTT LSI Lab., Kanagawa, JPN) ,  IWADATE K (NTT LSI Lab., Kanagawa, JPN) ,  NAGASE M (NTT LSI Lab., Kanagawa, JPN) ,  MURASE K (NTT LSI Lab., Kanagawa, JPN)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 43  号： 8  ページ： 1213-1217  発行年： 1996年08月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 一次元Si細線を,パターン依存酸化法により両端にトンネル障壁...

シソーラス用語： ケイ素 ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： SIMOX ,  Si ,  単一電子トランジスタ ,  サイズ依存性