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J-GLOBAL ID：200902152592959867   整理番号：00A0382763

プラスチック基板上に110°Cのプロセシング温度で作製した高移動度薄膜トランジスタ

High Mobility Thin Film Transistors Fabricated on a Plastic Substrate at a Processing Temperature of 110°C.

著者 (3件)： GOSAIN D P (Sony Corp., Yokohama, JPN) ,  NOGUCHI T (Sony Corp., Yokohama, JPN) ,  USUI S (Sony Corp., Yokohama, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 39  号： 3A/B  ページ： L179-L181  発行年： 2000年03月15日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： プラスチック基板上にエキシマレーザプロセスを使って多結晶Si...

シソーラス用語： *レーザアニーリング ,...

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分類 (3件)： レーザ照射・損傷  (BK16040S) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (11件)：

• GATES, S. M. Proc.MRS, 1997. 1997, 467, 843
• LUEDER, E. Proc.MRS, 1995. 1995, 377, 847
• GOSAIN, D. P. Ext.Abstr.AMLCD'97. 1997, 51
• OMATA, F. Ext.Abstr.AMLCD'99. 1999, 243
• GOSAIN, D. P. Ext.Abstr.AMLCD'99. 1999, 239

タイトルに関連する用語 (5件)： プラスチック基板 ,  プロセシング ,  作製 ,  高移動度 ,  薄膜トランジスタ