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J-GLOBAL ID：200902153112585934   整理番号：01A0426352

新D-RIEプロセスにおけるSi/SiO₂マスクエッチング選択性の改善

Improvement of Si/SiO₂ Mask etching selectivity in the new D-RIE process.

著者 (4件)： OHARA J (Denso Corp., Aichi, JPN) ,  KANO K (Denso Corp., Aichi, JPN) ,  TAKEUCHI Y (Denso Corp., Aichi, JPN) ,  OTSUKA Y (Denso Corp., Aichi, JPN)
資料名： Technical Digest. IEEE Micro Electro Mechanical Systems  (Technical Digest. IEEE Micro Electro Mechanical Systems)
巻： 14th  ページ： 76-79  発行年： 2001年 
JST資料番号： W0377A  ISSN： 1084-6999  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： マイクロマシンの高アスペクト比孔加工において,マスク消費によ...

シソーラス用語： *ウエハ【IC】 ,...

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分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： RIE ,  プロセス ,  Si ,  SiO2 ,  マスクエッチング