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J-GLOBAL ID：200902154082459218   整理番号：97A0305954

単電子デバイス・回路の研究状況と今後の展望

Present status and future prospects of single-electron devices and circuits.

著者 (5件)： 田部道晴 (静岡大 電子工研) ,  小田俊理 (東京工大 量子効果エレクトロニクス研セ) ,  平本俊郎 (東大 生産技研) ,  中里和郎 (Hitachi Cambridge Lab., Cambrigde, GBR) ,  雨宮好仁 (北大 工)
資料名： 応用物理  (JSAP International)
巻： 66  号： 2  ページ： 99-108  発行年： 1997年02月 
JST資料番号： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ひとつひとつのの電子の動きを制御する,単電子デバイスと呼ばれ...

シソーラス用語： *トランジスタ ,...
準シソーラス用語： 単電子デバイス ,...

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分類 (2件)： 界面の電気的性質一般  (BM03081H) ,  固体デバイス一般  (NC03010Z)

引用文献 (67件)：

• LIKHAREV, K. K. IBM J.Res.Dev. 1988, 32, 144
• AVERIN, D. V. Quantum Effects in Small Disordered Systems. 1991
• GRABERT, H. Single Charge Tunneling. NATO ASI Series. 1992
• 上田正仁. 応用物理. 1993, 62, 889
• FULTON, T. A. Phys.Rev.Lett. 1987, 59, 109

タイトルに関連する用語 (4件)： 単電子デバイス ,  研究 ,  状況 ,  展望