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J-GLOBAL ID：200902154131967011   整理番号：98A0185725

(775)B GaAs基板上にMBE成長した高密度GaAs量子細線の時間分解フォトルミネッセンス測定

Time-resolved PL measurements of high-density GaAs QWRs grown on (775)B GaAs substrates by MBE.

著者 (6件)： 東脇正高 (大阪大 基礎工) ,  下村哲 (大阪大 基礎工) ,  冷水佐寿 (大阪大 基礎工) ,  黒柳和良 (ATR環境適応通信研) ,  藤田和久 (ATR環境適応通信研) ,  江上典文 (ATR環境適応通信研)
資料名： 日本物理学会講演概要集(分科会)  (日本物理学会分科会講演予稿集)
巻： 1997  号： 第2分冊  ページ： 142  発行年： 1997年09月 
JST資料番号： S0872B  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (6件)： GaAs基板 ,  MBE成長 ,  高密度 ,  GaAs ,  量子細線 ,  時間分解フォトルミネッセンス