文献

J-GLOBAL ID：200902156478422786   整理番号：99A0955763

水素終端Si表面 水素終端シリコン表面の酸化と水素の役割

Hydrogen-terminated Si Surfaces. Role of Hydrogen Atoms in the Initial Oxidation Processes of H-Terminated Si(100) Surfaces.

著者 (3件)： 財満鎮明 (名古屋大 先端技術共同研セ) ,  池田浩也 (名古屋大 大学院) ,  安田幸夫 (名古屋大 大学院)
資料名： 表面科学  (JSSSJ)
巻： 20  号： 10  ページ： 703-710  発行年： 1999年10月10日 
JST資料番号： F0940B  ISSN： 0388-5321  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： Si(100)-2×1のH終端表面とH<sub>2</sub...

シソーラス用語： *ケイ素 ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=99A0955763&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=F0940B") }}

分類 (2件)： 物理的手法を用いた吸着の研究  (CB12043P) ,  その他の無触媒反応  (CB06070U)

引用文献 (29件)：

• HIRASHITA, N. Appl. Phys. Lett. 1990, 56, 451
• GATES, S. M. J. Chem. Phys. 1990, 92, 3144
• YASUDA, Y. J. Appl. Phys. 1993, 73, 2288
• ZAIMA, S. J. Cryst. Growth. 1995, 150, 944
• COPEL, M. Phys. Rev. Lett. 1989, 63, 632

タイトルに関連する用語 (6件)： 水素終端 ,  Si ,  シリコン ,  酸化 ,  水素 ,  役割