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J-GLOBAL ID：200902156715608431   整理番号：99A0046868

電子サイクロトロン共鳴プラズマ励起分子ビームエピタクシー(ECR-MBE)によるシリカガラス上へのGaNの結晶成長と光学特性

Crystal Growth and Optical Property of GaN on Silica Glass by Electron-Cyclotron-Resonance Plasma-Excited Molecular Beam Epitaxy (ECR-MBE).

著者 (5件)： MURATA N (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN) ,  TOCHISHITA H (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN) ,  SHIMIZU Y (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN) ,  ARAKI T (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN) ,  NANISHI Y (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 37  号： 10B  ページ： L1214-L1216  発行年： 1998年10月15日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 石英ガラス上のGaN膜はサファイヤ基板の場合より強い光ルミネ...

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,...

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分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (6件)：

• 1) S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa and S. Nagahama: Appl. Phys. Lett. 67 (1995) 1868
• 2) S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, Y. Sugimoto and H. Kiyoku: Appl. Phys. Lett. 70 (1997) 1417
• 3) K. Iwata, H. Asahi, K. Asami, R. Kuroiwa and S. Gonda: Jpn. J. Appl. Phys. 36 (1997) L661
• 4) N. Kondo and Y. Nanishi: Appl. Phys. Lett. 54 (1989) 2419
• 5) Y. Chiba, Y. Shimizu, Y. Tominari, S. Hokuto and Y. Nanishi: to be published in J. Cryst. Growth.

タイトルに関連する用語 (8件)： 電子サイクロトロン共鳴プラズマ ,  励起 ,  分子ビームエピタクシー ,  MBE ,  シリカガラス ,  GaN ,  結晶成長 ,  光学特性