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J-GLOBAL ID：200902162739251046   整理番号：97A0667509

C面,A面,R面およびM-面サファイヤとシリカガラス基板へのGaNのガスソース分子線エピタクシー成長

Gas Source Molecular Beam Epitaxy Growth of GaN on C-, A-, R- and M-Plane Sapphire and Silica Glass Substrates.

著者 (5件)： IWATA K (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  ASAHI H (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  ASAMI K (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  KUROIWA R (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  GONDA S (Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 36  号： 6A  ページ： L661-L664  発行年： 1997年06月01日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標記サファイヤ基板にGaN層を分子線エピタクシー成長した。G...

シソーラス用語： *MBE成長 ,...
準シソーラス用語： GSMBE

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (14件)：

• 1) S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku and Y. Sugimoto: Jpn. J. Appl. Phys. 35 (1996) L74
• 2) S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, Y. Sugimoto and H. Kiyoku: Appl. Phys. Lett. 70 (1997) 868
• 3) T. D. Moustakas, T. Lei and R. J. Molnar: Physica B 185 (1993) 36.
• 4) A. Botchkarev, A. Salvador, B. Sverdlov, J. Myoung and H. Morkoç: J. Appl. Phys. 77 (1995) 4455
• 5) T. Sasaki and S. Zembutsu: J. Appl. Phys. 61 (1987) 2533

タイトルに関連する用語 (6件)： サファイヤ ,  シリカ ,  ガラス基板 ,  GaN ,  ガスソース分子線エピタクシー ,  成長