文献

J-GLOBAL ID：200902156736117276   整理番号：02A0616922

157nmリソグラフィー用の新しいフォトレジスト材料 II

A New Photoresist Material for 157 nm Lithography-2.

著者 (7件)： FUJIGAYA T (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  ANDO S (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  SHIBASAKI Y (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  KISHIMURA S (Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kyoto, JPN) ,  ENDO M (Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kyoto, JPN) ,  SASAGO M (Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kyoto, JPN) ,  UEDA M (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
資料名： Journal of Photopolymer Science and Technology  (Journal of Photopolymer Science and Technology)
巻： 15  号： 4  ページ： 643-654  発行年： 2002年 
JST資料番号： L0202A  ISSN： 0914-9244  CODEN： JSTEEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 時間依存密度汎関数理論(TD-DFT)計算を用いて,157n...

シソーラス用語： 真空紫外線 ,...
準シソーラス用語： トリフラート ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=02A0616922&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=L0202A") }}

分類 (3件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  共重合  (CG04030D) ,  脂肪族スルホン酸・スルフィン酸・スルフェン酸  (CF03160J)

物質索引 (3件)： 4-[1-ヒドロキシ-1-(トリフルオロメチル)-2,2,2-トリフルオロエチル]スチレン ,  エテンスルホン酸2,2,2-トリフルオロエチル ,  エテンスルホン酸1-(トリフルオロメチル)-2,2,2-トリフルオロエチル

引用文献 (15件)：

• 1). T. Fujigaya, Y. Shibasaki, M. Ueda, S. Kishimura, M, Endo, M. Sasago, Polym. Mater. Sc. Eng. ACS., 2002, 86 (1), 148.
• 2). S. Ando, T. Fujigaya, M. Ueda, Jpn. J. Appl. Phys., 2002, 41, 2A, L105.
• 3). a) T. H. Fedynyshyn, R. R. Kunz, R. Sinta, M. Sworin, W. A. Mowers, R. B. Goodman, S. P. Doran, Proc. SPIE., 2001, 4345, 296. b) T. H. Fedynyshyn, R. R. Kunz, R. Sinta, R. B. Goodman, S. P. Doran, J. Vac. Sci. Technol., 2000, B, 18, 3332.
• 4). Goldberg, A.A, J. Chem. Soc., 1945, 464.
• 5). a) E. M. Pearce, T. K. Kwei, B. Y. Min, J. Macromol. Sci. Chem., 1984, A21 (8&9), 1181. b) R. Miethchen, D. Rentsch, N. Stoll, Tetrahedron, 1992, 48, 39, 8393.

タイトルに関連する用語 (3件)： リソグラフィー ,  フォト ,  レジスト材料