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J-GLOBAL ID：200902156981136928   整理番号：01A0283997

共スパッタリングにより作製したTiSi₂薄膜中の欠陥および電子構造 I 透過型電子顕微鏡による欠陥の解析

Defect and electronic structures in TiSi₂ thin films produced by co-sputtering. Part 1: Defect analysis by transmission electron microscopy.

著者 (7件)： INUI H (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  HASHIMOTO T (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  TANAKA K (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  TANAKA I (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  MIZOGUCHI T (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  ADACHI H (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  YAMAGUCHI M (Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
資料名： Acta Materialia  (Acta Materialia)
巻： 49  号： 1  ページ： 83-92  発行年： 2001年01月08日 
JST資料番号： A0316A  ISSN： 1359-6454  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標記の薄膜における相変態および欠陥構造の焼なまし温度依存性を...

シソーラス用語： *チタン化合物 ,...
準シソーラス用語： C49型結晶 ,...

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分類 (2件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  その他の非晶質の構造  (BK04040Z)

タイトルに関連する用語 (7件)： 共スパッタリング ,  作製 ,  薄膜 ,  欠陥 ,  電子構造 ,  透過型電子顕微鏡 ,  解析