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J-GLOBAL ID：200902157097284219   整理番号：01A0038737

昇華法によるSiCバルク単結晶成長技術の開発

Development of SiC Bulk Single Crystal Growth by Sublimation Method.

著者 (8件)： NISHIZAWA S (Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN) ,  KITOU Y (R&D Assoc. Future Electron Devices) ,  OYANAGI N (R&D Assoc. Future Electron Devices) ,  KATO T (Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN) ,  BAHNG W (R&D Assoc. Future Electron Devices) ,  YAMAGUCHI H (Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN) ,  KHAN M N (Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN) ,  ARAI K (Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN)
資料名： 新機能素子シンポジウム予稿集  (新機能素子技術シンポジウム予稿集)
巻： 2000  ページ： 89-94  発行年： 2000年10月 
JST資料番号： L0184A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiCは,そのワイドバンドギャップ,大きい熱伝導率,高い飽和...

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,...
準シソーラス用語： 昇華法 ,...

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分類 (3件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  固体デバイス材料  (NC03020K) ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P)

タイトルに関連する用語 (5件)： 昇華 ,  SiC ,  バルク ,  単結晶成長 ,  開発