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J-GLOBAL ID：200902157213205372   整理番号：01A0416548

Mg_xZn_1-xOとCd_yZn_1-yO三元アロイ膜をベースにしたバンドギャップ工学

Band gap engineering based on Mg_xZn_1-xO and Cd_yZn_1-yO ternary alloy films.

著者 (8件)： MAKINO T (RIKEN(Inst. Physical and Chemical Res.), Sendai, JPN) ,  SEGAWA Y (RIKEN(Inst. Physical and Chemical Res.), Sendai, JPN) ,  KAWASAKI M (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  OHTOMO A (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  SHIROKI R (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  TAMURA K (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  YASUDA T (Ishinomaki Senshu Univ., Ishinomaki, JPN) ,  KOINUMA H (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 78  号： 9  ページ： 1237-1239  発行年： 2001年02月26日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： パルスレーザ蒸着で成長した標記II-VI酸化物アロイの構造と...

シソーラス用語： *レーザ蒸着 ,...
準シソーラス用語： *禁止帯

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (3件)： アロイ ,  バンドギャップ ,  工学