将来の超高密度DRAM向けの新しい三次元メモリアレイ構造

ENDOH T; SHINMEI K; SAKURABA H; MASUOKA F

文献

J-GLOBAL ID：200902157298667264 整理番号：99A0442071

将来の超高密度DRAM向けの新しい三次元メモリアレイ構造

New Three-Dimensional Memory Array Architecture for Future Ultrahigh-Density DRAM.

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資料名：
巻： 34 号： 4 ページ： 476-483 発行年： 1999年04月
JST資料番号： B0761A ISSN： 0018-9200 CODEN： IJSCBC 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

三次元メモリアレイ構造を提案した。SGT(Surroundi...

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記憶装置 , 半導体集積回路

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