単結晶シリコンの微細穴放電加工に関する研究

文献

J-GLOBAL ID：200902158170114730 整理番号：97A0323045

Study on Fine Boring of Single Crystalline Silicon by EDM.

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資料名：
巻： 30 号： 65 ページ： 9-16 発行年： 1996年11月
JST資料番号： F0520B ISSN： 0387-754X 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

標記加工の加工特性の解明のため実験を行った,実験はRC放電回...

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特殊加工

引用文献 (6件)：

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