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J-GLOBAL ID：200902158184564992   整理番号：96A0131822

反応性イオンエッチングを用いて作製した2x2 InGaAsP/InPレーザ増幅ゲートスイッチアレイ

2×2 InGaAsP/InP laser amplifier gate switch arrays using reactive ion etching.

著者 (7件)： OH K R (Electronics and Telecommunications Res. Inst., Taejon, KOR) ,  AHN J-H (Electronics and Telecommunications Res. Inst., Taejon, KOR) ,  KIM J S (Electronics and Telecommunications Res. Inst., Taejon, KOR) ,  LEE S W (Electronics and Telecommunications Res. Inst., Taejon, KOR) ,  KIM H M (Electronics and Telecommunications Res. Inst., Taejon, KOR) ,  PYUN K E (Electronics and Telecommunications Res. Inst., Taejon, KOR) ,  PARK H M (Electronics and Telecommunications Res. Inst., Taejon, KOR)
資料名： Electronics Letters  (Electronics Letters)
巻： 32  号： 1  ページ： 39-40  発行年： 1996年01月04日 
JST資料番号： A0887A  ISSN： 0013-5194  CODEN： ELLEAK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 導波路集積化標記スイッチアレイをMOVPEとRIEにより作製...

シソーラス用語： 光増幅器 ,...
準シソーラス用語： MOVPE

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分類 (1件)： その他の光伝送素子  (BD06040S)

タイトルに関連する用語 (6件)： 反応性イオンエッチング ,  作製 ,  InGaAsP ,  InP ,  レーザ ,  増幅