ガスクラスタイオンビームによる原子(分子)レベルでの表面処理

YAMADA I; MATSUO J; INSEPOV Z; TAKEUCHI D; AKIZUKI M; TOYODA N

文献

J-GLOBAL ID：200902158413523200 整理番号：96A0682808

ガスクラスタイオンビームによる原子(分子)レベルでの表面処理

Surface processing by gas cluster ion beams at the atomic (molecular) level.

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資料名：
巻： 14 号： 3 Pt 1 ページ： 781-785 発行年： 1996年05月
JST資料番号： C0789B ISSN： 0734-2101 CODEN： JVTAD6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

数keV~200keVに加速したガスクラスタイオンビームを用...

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半導体の放射線による構造と物性の変化

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