Si基板上の窒化物薄膜における電子移行過程の光コンダクタンス減衰を介しての測定

ZHONG L; TSUYA H; SHIMURA F

文献

J-GLOBAL ID：200902158820404674 整理番号：94A0117482

Si基板上の窒化物薄膜における電子移行過程の光コンダクタンス減衰を介しての測定

Measurement of the electronic transfer process in nitride film on a silicon substrate via photoconductance decay.

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巻： 74 号： 12 ページ： 7311-7314 発行年： 1993年12月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

低圧CVD法でSi基板上に成長させたa-SiN<sub>x<...

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不純物・欠陥の電子構造 , その他の無機化合物の格子欠陥

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