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J-GLOBAL ID：200902158837966625   整理番号：99A0808144

Si(001)上に成長させたSiGe合金を用いた絶縁体上SiGe基板

SiGe-on-insulator substrate using SiGe alloy grown Si(001).

著者 (3件)： ISHIKAWA Y (Japan Fine Ceramics Center, Nagoya, JPN) ,  SHIBATA N (Japan Fine Ceramics Center, Nagoya, JPN) ,  FUKATSU S (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 75  号： 7  ページ： 983-985  発行年： 1999年08月16日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低エネルギー酸素イオン(25keVのO<sup>+</sup...

シソーラス用語： *ケイ化物 ,...

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分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： Si ,  成長 ,  SiGe合金 ,  絶縁体