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J-GLOBAL ID：200902159215787843   整理番号：01A0366097

プラズマ増強化学蒸着SiN薄膜,ならびに熱蒸着SiO₂/プラズマ蒸着SiN薄膜スタックを用いたシリコン太陽電池に関する表面パッシベーション

Surface passivation of silicon solar cells using plasma-enhanced chemical-vapour-deposited SiN films and thin thermal SiO₂/plasma SiN stacks.

著者 (3件)： SCHMIDT J (Australian National Univ., ACT, AUS) ,  KERR M (Australian National Univ., ACT, AUS) ,  CUEVAS A (Australian National Univ., ACT, AUS)
資料名： Semiconductor Science and Technology  (Semiconductor Science and Technology)
巻： 16  号： 3  ページ： 164-170  発行年： 2001年03月 
JST資料番号： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標題の表面パッシベーションに対する2種類の方法,つまり,Si...

シソーラス用語： *太陽電池 ,...

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分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (9件)： プラズマ増強化学蒸着 ,  SiN ,  薄膜 ,  熱蒸着 ,  SiO2 ,  プラズマ蒸着 ,  スタック ,  シリコン太陽電池 ,  パッシベーション