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J-GLOBAL ID：200902159527165955   整理番号：99A0497706

Sr₂(Ta,Nb)₂O₇薄膜を用いた強誘電体メモリFETの特性

Properties of Ferroelectric Memory FET Using Sr₂(Ta, Nb)₂O₇ Thin Film .

著者 (3件)： FUJIMORI Y (ROHM Co., Ltd., Kyoto, JPN) ,  NAKAMURA T (ROHM Co., Ltd., Kyoto, JPN) ,  KAMISAWA A (ROHM Co., Ltd., Kyoto, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 38  号： 4B  ページ： 2285-2288  発行年： 1999年04月30日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Sr₂(Ta,Nb)<sub>2</s...

シソーラス用語： ストロンチウム化合物 ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (6件)：

• (1) N. Nakao, T. Nakamura, A. Kamisawa and H. Takasu: Integrat. Ferroelectr. 6 (1995) 23.
• (2) T. Nakamura, Y. Nakao, A. Kamisawa and H. Takasu: Integrat. Ferroelectr. 9 (1995) 179.
• (3) C. J. Osborn: J. Met. 2 (1950) 600.
• (4) Y. Fujimori, N. Izumi, T. Nakamura, A. Kamisawa and Y. Shigematsu: Jpn. J. Appl. Phys. 36 (1997) 5935.
• (5) T. Nakamura, Y. Nakao, A. Kamisawa and H. Takasu: Appl. Phys. Lett. 65 (1994) 1522.

タイトルに関連する用語 (5件)： Ta ,  Nb ,  薄膜 ,  強誘電体メモリ ,  FET