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J-GLOBAL ID：200902159559078566   整理番号：99A0413507

水素終端Si(001)表面上へのOHの化学吸着

Chemisorption of OH on the H-terminated Si(0 0 1) surface.

著者 (9件)： GOTO H (Kyoto Inst. Technol., Kyoto, JPN) ,  HIROSE K (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  SAKAMOTO M (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  SUGIYAMA K (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  INAGAKI K (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  TSUCHIYA H (Kyoto Inst. Technol., Kyoto, JPN) ,  KOBATA I (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  ONO T (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  MORI Y (Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名： Computational Materials Science  (Computational Materials Science)
巻： 14  号： 1/4  ページ： 77-79  発行年： 1999年02月 
JST資料番号： W0443A  ISSN： 0927-0256  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (3件)： 水素終端 ,  Si ,  化学吸着