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J-GLOBAL ID：200902160206097590   整理番号：02A0173445

Application of parallel connected power-MOSFET elements to high current d.c. power supply.

著者 (7件)： MATSUKAWA T (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  SHIOYAMA M (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  SHIMADA K (JAERI Naka, Ibaraki, JPN) ,  TAKAKU T (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  NEUMEYER C (Princeton Univ., NJ, USA) ,  TSUJI-IIO S (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  SHIMADA R (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
資料名： Fusion Engineering and Design  (Fusion Engineering and Design)
巻： 58/59  ページ： 63-67  発行年： 2001年11月 
JST資料番号： T0497A  ISSN： 0920-3796  CODEN： FEDEEE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (1件)： MOSFET