ジシランの低温熱分解で得た低圧化学蒸着無定形Si膜の析出と結晶化

VOUTSAS A T; HATALIS M K

文献

J-GLOBAL ID：200902160340047345 整理番号：93A0391009

ジシランの低温熱分解で得た低圧化学蒸着無定形Si膜の析出と結晶化

Deposition and Crystallization of a-Si Low Pressure Chemically Vapor Deposited Films Obtained by Low-Temperature Pyrolysis of Disilane.

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資料名：
巻： 140 号： 3 ページ： 871-877 発行年： 1993年03月
JST資料番号： C0285A ISSN： 1945-7111 CODEN： JESOAN 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

始めジシランの熱分解でSiを無定形に析出させ,次に低温アニー...

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半導体薄膜 , 固体デバイス製造技術一般

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