文献

J-GLOBAL ID：200902160345904629   整理番号：99A0046862

InGaN相分離における転位の効果

Role of Dislocation in InGaN Phase Separation.

著者 (7件)： SUGAHARA T (Univ. Tokushima, Tokushima, JPN) ,  HAO M (Univ. Tokushima, Tokushima, JPN) ,  WANG T (Univ. Tokushima, Tokushima, JPN) ,  NAKAGAWA D (Univ. Tokushima, Tokushima, JPN) ,  NAOI Y (Univ. Tokushima, Tokushima, JPN) ,  NISHINO K (Univ. Tokushima, Tokushima, JPN) ,  SAKAI S (Univ. Tokushima, Tokushima, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 37  号： 10B  ページ： L1195-L1198  発行年： 1998年10月15日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MOCVD法によりサファイア基板上に成長したInGaNのルミ...

シソーラス用語： *陰極線ルミネセンス ,...

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分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

引用文献 (14件)：

• 1) S. Nakamura, T. Mukai and M. Senoh: J. Appl. Phys. 76 (1994) 8189
• 2) S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa and S. Nagahama: Jpn. J. Appl. Phys. 34 (1995) L797
• 3) S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, S. Nagahama, T. Yamada and T. Mukai: Jpn. J. Appl. Phys. 34 (1995) 1332
• 4) K. Itaya, M. Onomura, J. Nishino, L. Sugiura, S. Saito, M. Suzuki, J. Rennie, S. Nunoue, M. Yamamoto, H. Fujimoto, Y. Kokubun and Y. Ohba: Jpn. J. Appl. Phys. 35 (1996) L1315
• 5) S. D. Lester, F. A. Ponce, M. G. Craford and D. A. Steigerwald: Appl. Phys. Lett. 66 (1995) 1249

タイトルに関連する用語 (3件)： InGaN ,  相分離 ,  転位