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J-GLOBAL ID：200902160624368060   整理番号：98A0305694

ab initio分子動力学シミュレーションに基づいた低抵抗率n型ダイヤモンドの原子価制御と同時ドーピング

Valence controls and codoping for low-resistivity n-type diamond by ab initio molecular-dynamics simulation.

著者 (3件)： NISHIMATSU T (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  KATAYAMA-YOSHIDA H (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  ORITA N (Electrotechnical Lab., Tsukuba, JPN)
資料名： Materials Science Forum  (Materials Science Forum)
巻： 258/263  号： Pt.2  ページ： 799-803  発行年： 1997年 
JST資料番号： D0716B  ISSN： 0255-5476  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 分子動力学シミュレーションの結果に基づき,同時ドーピング法(...

シソーラス用語： *ダイヤモンド ,...

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分類 (1件)： 不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I)

タイトルに関連する用語 (4件)： 分子動力学シミュレーション ,  低抵抗 ,  ダイヤモンド ,  同時ドーピング