文献

J-GLOBAL ID：200902161011073927   整理番号：95A0635209

多形を有する半導体SiC単結晶のステップ制御エピタキシー

Step-controlled epitaxy in semiconductor SiC polytypes.

著者 (2件)： 木本恒暢 (京大 工) ,  松波弘之 (京大 工)
資料名： 応用物理  (JSAP International)
巻： 64  号： 7  ページ： 691-694  発行年： 1995年07月 
JST資料番号： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ポリタイプを有する結晶として有名なSiC基板にオフ角度を導入...

シソーラス用語： 炭化ケイ素 ,...

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分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

引用文献 (16件)：

• VERMA, A. R. Polymorphysim and Poly typism in Crystals. 1966
• KURODA, N. Ext. Abstr. 19th Conf. Solid State Devices and Materials. 1987, 227
• KIMOTO, T. IEEE Electron Device Lett. 1993, 14, 548
• WEITZEL, C. E. IEEE Electron Device Lett. 1994, 15, 406
• XIE, W. IEEE Electron Device Lett. 1994, 15, 455

タイトルに関連する用語 (4件)： 多形 ,  SiC ,  単結晶 ,  エピタキシー