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J-GLOBAL ID：200902162047780588   整理番号：99A0155128

次亜リン酸塩を還元剤とする無電解銅めっきによる導体層-絶縁樹脂層の密着性

Adhesion Improvement between Conductor and Insulation Layer with Electroless Copper Plating Using Hypophosphite as a Reducing Agent.

著者 (4件)： 水口泰一 (関東学院大 大学院) ,  小林健 (関東学院大 大学院) ,  藤波知之 (関東学院大 大学院) ,  本間英夫 (関東学院大 工)
資料名： 表面技術  (Journal of the Surface Finishing Society of Japan)
巻： 49  号： 12  ページ： 1327-1331  発行年： 1998年12月 
JST資料番号： G0441B  ISSN： 0915-1869  CODEN： HYGIEX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 次亜りん酸塩を還元剤とする無電解銅めっきでは,次亜りん酸の酸...

シソーラス用語： *無電解めっき ,...
準シソーラス用語： ビルトアップ法

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分類 (2件)： 無電解めっき  (WC08024S) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

物質索引 (1件)： ホルムアルデヒド

引用文献 (7件)：

• DARKEN, J. Printed Circuit World Conventions V Glasgow, B6/2 Technical Paper. 1990
• 本間英夫. 表面技術. 1991, 42, 913
• HUNG, A. Plating and Surf. Fin. 1990, 77, 3, 54
• 本間英夫. サーキットテクノロジ. 1991, 6, 209
• 大野湶. 金属表面技術. 1983, 34, 594

タイトルに関連する用語 (7件)： 次亜リン酸塩 ,  還元剤 ,  電解 ,  銅めっき ,  導体層 ,  絶縁樹脂層 ,  密着性