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J-GLOBAL ID：200902163024915610   整理番号：93A0265030

マグネシウムイオン注入GaAs-GaAlAsヘテロ構造の急速熱アニール実験と分布シミュレーション

Rapid Thermal Annealing of Magnesium Implanted GaAs-GaAlAs Heterostructures Experimental and Simulated Distributions.

著者 (3件)： KETATA K (INSA de Rouen, Mont Saint Aignan, FRA) ,  DEBRIE R (INSA de Rouen, Mont Saint Aignan, FRA) ,  KETATA M (INSA de Rouen, Mont Saint Aignan, FRA)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 22  号： 1  ページ： 129-134  発行年： 1993年01月 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： イオン注入GaAs化合物に対しRTA(rapid thenm...

シソーラス用語： ヘテロ接合 ,...

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分類 (3件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (9件)： マグネシウム ,  イオン注入 ,  GaAs ,  GaAlAs ,  ヘテロ構造 ,  急速熱アニール ,  実験 ,  分布 ,  シミュレーション