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J-GLOBAL ID：200902163725475789   整理番号：03A0069756

金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ駆動回路と共に集積したSi電界放出アレイの作製

Fabrication of Si field emitter arrays integrated with metal-oxide-semiconductor field-effect transistor driving circuits.
著者 (6件)：
NAGAO M

NAGAO M について

(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)

National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN について

, 
TAMURA Y

TAMURA Y について

(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)

National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN について

, 
MATSUKAWA T

MATSUKAWA T について

(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)

National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN について

, 
KANEMARU S

KANEMARU S について

(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)

National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN について

, 
ITOH J

ITOH J について

(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)

National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN について

, 
TOKUNAGA K

TOKUNAGA K について

(Tokai Univ., Kanagawa, JPN)

Tokai Univ., Kanagawa, JPN について


資料名：
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)

Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures について


巻： 20  号： 6  ページ： 2309-2313  発行年： 2002年11月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 1071-1023  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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チップ上電界放出アレイ(FEA)開発の第一歩として,金属-酸...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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*MOSFET

MOSFET について

,...
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分類 (2件)：
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
半導体集積回路 
(NC03162T)

半導体集積回路 について

,  熱電子放出,電界放出 
(BM09020S)

熱電子放出,電界放出 について

タイトルに関連する用語 (6件)：
タイトルに関連する用語
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酸化物

酸化物 について

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電界効果トランジスタ駆動回路

電界効果トランジスタ駆動回路 について

, 
集積

集積 について

, 
Si

Si について

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電界放出アレイ

電界放出アレイ について

, 
作製

作製 について


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