大量にBをドープした微結晶Si-GeアロイおよびB-Si-Ge/P-Si Schottky障壁の物理的性質

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J-GLOBAL ID：200902164196970406 整理番号：98A0987451

Physical Properties of Heavily B-doped Microcrystalline Si-Ge Alloys and Schottky Barrier of B-Si-Ge/P-Si.

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巻： 37 号： 10 ページ： 5708-2713 発行年： 1998年10月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

1at%程度のB原子密度を得るために標記アロイを作製した。価...

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半導体-金属接触

引用文献 (23件)：

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