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J-GLOBAL ID：200902164345612232   整理番号：01A0777334

Hf(NEt₂)₄を原料ガスとして用いたHfO₂薄膜の堆積

HfO₂ film deposition by MOCVD using Hf(NEt₂)₄ as a source gas.

著者 (5件)： 大下祥雄 (豊田工大) ,  小椋厚志 (NEC シリコンシステム研) ,  星野麻子 (トリケミカル研) ,  鈴木淑恵 (トリケミカル研) ,  町田英明 (トリケミカル研)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 101  号： 108(SDM2001 53-58)  ページ： 31-36  発行年： 2001年06月08日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 将来のゲート絶縁材料として期待されているHfO<sub>2<...

シソーラス用語： *酸化ハフニウム ,...

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分類 (2件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

引用文献 (7件)：

• WILK, G. D. Appl. Phys. Lett. 1999, 74, 2854
• LEE, B. H. Appl. Phys. Lett. 2000, 76, 1926
• KANG, L. 2000 Symposium on VLSI Technology Digest of Technical Papers. 2000, 44
• LEE, J. C. Proceedings of MRS High-k Gate Dielectric Workshop, 2000. 2000, 23
• CAMPBELL, S. A. Proceedings of MRS High-k Gate Dielectric Workshop, 2000. 2000, 9

タイトルに関連する用語 (5件)： HF ,  原料ガス ,  HfO2 ,  薄膜 ,  堆積