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J-GLOBAL ID：200902165258898215   整理番号：96A0434232

テトライソシアネートシランを原料としたSiO₂膜の光CVD

Photo CVD of SiO2 films using TICS as a silicon source.

著者 (4件)： 寺井仁 (西東京科大) ,  田口貢士 (西東京科大) ,  内田恭敬 (西東京科大) ,  松村正清 (東京工大 工)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 43rd  号： 2  ページ： 810  発行年： 1996年03月 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (4件)： テトライソシアネートシラン ,  原料 ,  SiO2 ,  光CVD