文献

J-GLOBAL ID：200902165892503827   整理番号：02A0599289

絶縁体上シリコン(SOI)超薄膜層の熱凝塊化に及ぼすパターン形成の影響

Effect of patterning on thermal agglomeration of ultrathin silicon-on-insulator layer.

著者 (4件)： ISHIKAWA Y (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  KUMEZAWA M (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  NURYADI R (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  TABE M (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 190  号： 1/4  ページ： 11-15  発行年： 2002年05月08日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 正方形で12nm厚のSOI層をリソグラフィーとKOHの選択エ...

シソーラス用語： *SOI構造 ,...
準シソーラス用語： アグロメレーション

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=02A0599289&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=B0707B") }}

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (6件)： 絶縁体 ,  シリコン ,  SOI ,  薄膜層 ,  凝塊化 ,  パターン形成