実時間赤外分光と分光エリプソメトリーによるアモルファス及び微結晶Si:H薄膜におけるけい素-水素結合モードの深さフロフィル

FUJIWARA H; KONDO M; MATSUDA A

文献

J-GLOBAL ID：200902166310419513 整理番号：02A0372504

実時間赤外分光と分光エリプソメトリーによるアモルファス及び微結晶Si:H薄膜におけるけい素-水素結合モードの深さフロフィル

Depth profiling of silicon-hydrogen bonding modes in amorphous and microcrystalline Si:H thin films by real-time infrared spectroscopy and spectroscopic ellipsometry.

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巻： 91 号： 7 ページ： 4181-4190 発行年： 2002年04月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

Si:H薄膜におけるSi-H_n(n=1...

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半導体薄膜 , 非晶質半導体の構造

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