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J-GLOBAL ID：200902166368321653   整理番号：93A0503764

ダウンストリームマイクロ波およびラジオ波平板プラズマ反応器におけるGaAsのアンモニアプラズマ不動態化

Ammonia plasma passivation of GaAs in downstream microwave and radio-frequency parallel plate plasma reactors.

著者 (5件)： AYDIL E S (AT&T Bell Lab., New Jersey) ,  GIAPIS K P (AT&T Bell Lab., New Jersey) ,  GOTTSCHO R A (AT&T Bell Lab., New Jersey) ,  DONNELLY V M (AT&T Bell Lab., New Jersey) ,  YOON E (AT&T Bell Lab., New Jersey)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)
巻： 11  号： 2  ページ： 195-205  発行年： 1993年03月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 1071-1023  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高密度の表面/界面状態に由来するGaAs表面やGaAs-絶縁...

シソーラス用語： 不動態化 ,...

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分類 (3件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  表面の電子構造  (BM02080J) ,  プラズマ応用  (BJ02110K)

タイトルに関連する用語 (7件)： ラジオ波 ,  平板 ,  プラズマ反応器 ,  GaAs ,  アンモニア ,  プラズマ ,  不動態化