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J-GLOBAL ID：200902166536712329   整理番号：01A0523883

高度の無線通信に対するGaNによるヘテロ接合FETの適用

Application of GaN-Based Heterojunction FETs for Advanced Wireless Communication.

著者 (2件)： OHNO Y (NEC Corp., Ibaraki, JPN) ,  KUZUHARA M (NEC Corp., Ibaraki, JPN)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 48  号： 3  ページ： 517-523  発行年： 2001年03月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaNによるFETの特徴を調べ,その将来の開発方向について述...

シソーラス用語： *ヘテロ接合 ,...

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分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  無線通信一般  (ND08010L)

タイトルに関連する用語 (4件)： 高度 ,  無線通信 ,  GaN ,  ヘテロ接合FET