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J-GLOBAL ID：200902167156272845   整理番号：93A0350300

パターニングした(001)基板上に分子線エピタクシー法で成長させた(111)Bマイクロファセット上のN-AlGaAs/GaAsヘテロ接合における二次元電子ガスの形成

Formation of Two-Dimensional Electron Gas in N-AlGaAs/GaAs Heterojunctions on (111)B Microfacets Grown by Molecular Beam Epitaxy on a Patterned (001) Substrate.

著者 (6件)： NAKAMURA Y (JRDC, Tokyo) ,  TSUCHIYA M (JRDC, Tokyo) ,  KOSHIBA S (JRDC, Tokyo) ,  NOGE H (JRDC, Tokyo) ,  KANO H (JRDC, Tokyo) ,  SAKAKI H (JRDC, Tokyo)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 32  号： 3B  ページ： L383-L385  発行年： 1993年03月15日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： パターニングしたGaAs(001)面上にMBE選択成長法を用...

シソーラス用語： ヒ化ガリウム ,...

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分類 (1件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (8件)： パターニング ,  分子線エピタクシー法 ,  成長 ,  ファセット ,  AlGaAs ,  GaAs ,  ヘテロ接合 ,  二次元電子ガス