文献

J-GLOBAL ID：200902167572665686   整理番号：96A0223738

GMRを用いた固体メモリー

Solidstate Memory Using GMR Films.

著者 (3件)： 榊間博 (松下電器産業 中研) ,  入江庸介 (松下電器産業 中研) ,  川分康博 (松下電器産業 中研)
資料名： 日本応用磁気学会誌  (Journal of the Magnetics Society of Japan)
巻： 20  号： 1  ページ： 22-26  発行年： 1996年02月 
JST資料番号： Z0944A  ISSN： 0285-0192  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 巨大磁気抵抗効果(GMR)膜を用いた固体メモリ(スピンバルブ...

シソーラス用語： 磁気抵抗効果 ,...

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分類 (2件)： 記憶装置  (JC04060F) ,  磁電デバイス  (NC03100X)

引用文献 (13件)：

• L. J. Schwee. Proc. INTERMAG Conf. IEEE Trans. Magn. 1972, 405
• A. V. Pohm. IEEE Trans. Magn. 1992, 28, 2356
• M. N. Baibich. Phys. Rev. Lett. 1988, 61, 2472
• K. T. M. Ranmuthu. IEEE Trans. Magn. 1993, 29, 2593
• B. Dieny. J. Magn. Magn. Mat. 1991, 93, 101

タイトルに関連する用語 (3件)： GMR ,  固体 ,  メモリー