長波長用新材料としてのTlInGaP及びTlInGaAsのガスソースMBE成長

ASAHI H; FUSHIDA M; KOH H; YAMAMOTO K; ASAMI K; GONDA S; OE K

文献

J-GLOBAL ID：200902167860015998 整理番号：97A0772823

長波長用新材料としてのTlInGaP及びTlInGaAsのガスソースMBE成長

Gas source MBE growth of TlInGaP and TlInGaAs as new materials for long-wavelength applications.

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資料名：

Conference Proceedings. IEEE International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (Conference Proceedings. IEEE International Conference on Indium Phosphide and Related Materials)

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巻： 9th ページ： 448-451 発行年： 1997年
JST資料番号： W0731A ISSN： 1092-8669 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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