Si基板上に蒸着したc配向YMnO<sub>3</sub>膜の強誘電性

YOSHIMURA T; FUJIMURA N; ITO T

文献

J-GLOBAL ID：200902168380231174 整理番号：98A0750681

Si基板上に蒸着したc配向YMnO₃膜の強誘電性

Ferroelectric properties of c-oriented YMnO₃ films deposited on Si substrates.

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巻： 73 号： 3 ページ： 414-416 発行年： 1998年07月20日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

以前に,金属-誘電体-半導体FET(MFSFET)型の強誘電...

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強誘電体,反強誘電体,強弾性 , 酸化物薄膜

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Si基板上に蒸着したc配向YMnO3膜の強誘電性

Si基板上に蒸着したc配向YMnO₃膜の強誘電性